Аналитические статьи

  • 21.04.2010

    Уникальный наносэндвич совершит прорыв в электронике


    Недавно российский ученый теоретик Иван Олейник и экспериментатор из Америки Матиас Бацилл вырастили уникальный проводник-наносэндвич толщиной всего в несколько атомов. Таким образом международное созвездие талантливых ученых совершило настоящий прорыв в электронике: слоистый одноатомный транзистор имеет свойство диэлектрика-проводника-диэлектрика с высочайшей электропроводностью.

    Кто-то из ученых наблюдает в телескопы глубины космоса и мыслит в космических масштабах, в то время как данная работа российских и американских соавторов, основанная на изучении свойств атома углерода, имеет огромное значение для развития электроники в направлении миниатюризации.

    Всем известны такие разновидности углерода, как графит и алмаз. Материаловеды смогут назвать еще карбин, фуллерен и графен. Последний — графен - был открыт совсем недавно и его изучение еще не закончено. Структура графена представляет собой плоскостной слой углеродных атомов в углах шестигранника, благодаря чему этот материал становится обладателем чрезвычайно интересных физических свойств: в различных ситуациях от может служить то проводником, то полупроводником, а порой, при модифицировании, и изолятором. Таким образом, графен может быть использован для изготовления практически всех компонентов современной электронной техники. Стоит заметить, что сейчас для этих целей используются десятки элементов из таблицы Менделеева.

    Научные коллективы многих стран нашей планеты выращивают графен и изучают его свойства, но революционность работы российско-американский группы исследователей заключается в создании дефектной полоски между двумя листами графена. Примечательно, что дефектная полоска состоит не из инородных атомов, а из тех же самых углеродных атомов, лишь уложенных в пяти- и восьмиугольники, а не в шестиугольники, как «недефектные» полоски. Дефектная полоска наноразмера обладает высочайшей металлической электропроводностью.

    Получение такого необыкновенного слоистого транзистора сверхмалого размера способно, по мнению ученых, решить задачу электрических контактов на атомном уровне. Огромному прикладному значению данной работы для дальнейшего развития и миниатюризации электроники дал высокую оценку Национальный научный фонд США.